ON Semiconductor FDMD8280

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-PowerWDFN

引脚数

12

质量

82.3188mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.2m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3050pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

80V

下降时间（典型值）

8.9 ns

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

80V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant