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首页 全部分类 FDMD8280 vs NTMFS5C646NLT1G

FDMD8280备选型号: NTMFS5C646NLT1G

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
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  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMD8280
    ON Semiconductor
    PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-PowerWDFN
    12
    82.3188mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    排水源头
    15 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8.2m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    3050pF @ 40V
    44nC @ 10V
    12ns
    80V
    8.9 ns
    11A
    20V
    80V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTMFS5C646NLT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    19A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10.4 ns
    N-Channel
    -
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    2164pF @ 25V
    33.7nC @ 10V
    14.9ns
    -
    5.1 ns
    19A
    20V
    60V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2014
    DUAL
    R-PDSO-F5
    ±20V
    2V
    0.0063Ohm
    750A
    1.05mm
    6.1mm
    5.1mm
    无SVHC
    无铅
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