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首页 全部分类 FDMD8680 vs FDMS86300DC

FDMD8680备选型号: FDMS86300DC

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  • 场效应管类型
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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 系列
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  • 终端形式
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • Vgs（最大值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMD8680
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMD8680 Dual MOSFET, PowerTrench, Dual N Channel, 66 A, 80 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    97.95918mg
    66A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    39W
    未说明
    未说明
    Dual
    2 N-Channel (Dual)
    4.7m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    5330pF @ 40V
    73nC @ 10V
    80V
    66A
    3V
    Standard
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS86300DC
    ON Semiconductor
    MOSFET 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    N-Channel
    3.1m Ω @ 24A, 10V
    4.5V @ 250μA
    7005pF @ 40V
    101nC @ 10V
    -
    24A
    2.5V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    Dual Cool™, PowerTrench®
    2010
    5
    超低电阻
    FLAT
    R-PDSO-F5
    1
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    29 ns
    SWITCHING
    25ns
    ±20V
    9 ns
    MO-240AA
    20V
    60A
    80V
    260A
    240 mJ
    150°C
    3.3 V
    5.1mm
    1.05mm
    5.85mm
    无
    无铅
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