ON Semiconductor FDMD8680
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FDMD8680
1807-FDMD8680
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMD8680 Dual MOSFET, PowerTrench, Dual N Channel, 66 A, 80 V, 0.0033 ohm, 10 V, 3 VNew
--最小包装量--
FDMD8680详情
ON Semiconductor FDMD8680重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
97.95918mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
66A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
39W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Dual
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.7m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5330pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
73nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
80V
连续放电电流(ID)
66A
阈值电压
3V
场效应管特性
Standard
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMD8680拓展信息










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