FDMS7602S备选型号: IRF8113TRPBF
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 最大功率耗散
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 配置
- 行间距
- 接通延迟时间
- Vgs(最大值)
- 双电源电压
- MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8211mgSILICON12A 17A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR997.5MOhm2.5WR-PDSO-N6增强型MOSFET1W排水源头2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.5m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1750pF @ 15V28nC @ 10V3.8ns3.2 ns17A1.8V20V30V40AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.8 V700μm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC-12 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8--17.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®--活跃1 (Unlimited)-EAR995.6MOhm--增强型MOSFET2.5W-N-Channel-5.6m Ω @ 17.2A, 10V2.2V @ 250μA2910pF @ 15V36nC @ 4.5V8.9ns3.5 ns17.2A2.2V20V30V---2.2 V1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free2005SMD/SMT30V16.6ASingle6.3 mm13 ns±20V30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 对比 |
| FDMS7678 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | ON SEMICONDUCTOR - FDMS7678 - MOSFET, N-CH, 30V, 8PQFN | 对比 | |
![]() | IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | 对比 |




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