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首页 全部分类 FDMS7650 vs BSC886N03LSGATMA1

FDMS7650备选型号: BSC886N03LSGATMA1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 高度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 已出版
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    FDMS7650
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V POWER56
    10 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    90mg
    SILICON
    2.5W Ta 104W Tc
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    1MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.99m Ω @ 36A, 10V
    3V @ 250μA
    14965pF @ 15V
    209nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    21 ns
    60A
    1.9V
    20V
    36A
    30V
    450A
    544 mJ
    1.9 V
    5mm
    1.05mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC886N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
    26 Weeks
    -
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    SILICON
    13A Ta 65A Tc
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    无铅
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    4.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    26nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    3 ns
    65A
    2.2V
    20V
    -
    -
    260A
    20 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无SVHC
    -
    2011
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    0.0092Ohm
    30V
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