FDMS7650备选型号: IRFH7934TR2PBF

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
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  • 高度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
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  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V POWER56
    10 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    90mg
    SILICON
    2.5W Ta 104W Tc
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    1MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.99m Ω @ 36A, 10V
    3V @ 250μA
    14965pF @ 15V
    209nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    21 ns
    60A
    1.9V
    20V
    36A
    30V
    450A
    544 mJ
    1.9 V
    5mm
    1.05mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
    -
    -
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    -
    24A Ta 76A Tc
    HEXFET®
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    3.5MOhm
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    3.1W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    3.5mOhm @ 24A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3100pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    16ns
    -
    7.5 ns
    24A
    1.8V
    20V
    -
    30V
    -
    -
    1.8 V
    5.2324mm
    1.1684mm
    6.1468mm
    符合RoHS标准
    无SVHC
    无铅
    8-PQFN (5x6)
    2009
    150°C
    -55°C
    3.1W
    30V
    3.1nF
    30 ns
    3.5mOhm
    3.5 mΩ
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