FDMS7650备选型号: IRFH7934TR2PBF
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- 晶体管元件材料
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- 操作温度
- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
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- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
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- 最大功率耗散
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- 输入电容
- 恢复时间
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- 最大rds
- MOSFET N-CH 30V POWER5610 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8-PowerTDFN表面贴装表面贴装890mgSILICON2.5W Ta 104W TcPowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)5EAR991MOhmTin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN28 nsN-ChannelSWITCHING0.99m Ω @ 36A, 10V3V @ 250μA14965pF @ 15V209nC @ 10V24ns±20V21 ns60A1.9V20V36A30V450A544 mJ1.9 V5mm1.05mm6mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅----------
- MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN--8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8--24A Ta 76A TcHEXFET®Cut Tape (CT)---Obsolete2 (1 Year)--3.5MOhm----Single-3.1W-12 nsN-Channel-3.5mOhm @ 24A, 10V2.35V @ 50μA3100pF @ 15V30nC @ 4.5V16ns-7.5 ns24A1.8V20V-30V--1.8 V5.2324mm1.1684mm6.1468mm符合RoHS标准无无SVHC无铅8-PQFN (5x6)2009150°C-55°C3.1W30V3.1nF30 ns3.5mOhm3.5 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7650DC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | FDMS7650DC N-Channel MOSFET, 289 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor | 对比 | |
![]() | IRFH7934TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | 对比 |




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