FDMS7650备选型号: FDMS7650DC
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 触点镀层
- 已出版
- 附加功能
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET N-CH 30V POWER5610 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8-PowerTDFN表面贴装表面贴装890mgSILICON2.5W Ta 104W TcPowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)5EAR991MOhmTin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN28 nsN-ChannelSWITCHING0.99m Ω @ 36A, 10V3V @ 250μA14965pF @ 15V209nC @ 10V24ns±20V21 ns60A1.9V20V36A30V450A544 mJ1.9 V5mm1.05mm6mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅-----
- FDMS7650DC N-Channel MOSFET, 289 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor8 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8-PowerTDFN表面贴装表面贴装890mgSILICON47A Ta 100A TcDual Cool™, PowerTrench®Cut Tape (CT)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99---FLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET3.3W排水源头29 nsN-ChannelSWITCHING0.99m Ω @ 36A, 10V2.7V @ 250μA14765pF @ 15V206nC @ 10V28ns±20V20 ns47A1.9V20V-30V200A--5mm1.05mm6mmROHS3 Compliant无无SVHC-Tin2009ULTRA-LOW RESISTANCEMO-240AA0.00099Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7650DC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | FDMS7650DC N-Channel MOSFET, 289 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor | 对比 | |
![]() | IRFH7934TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN | 对比 |
![]() | BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | 对比 |




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