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首页 全部分类 FDMS86252 vs IRFH5301TRPBF

FDMS86252备选型号: IRFH5301TRPBF

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  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS86252
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    74mg
    SILICON
    4.6A Ta 16A Tc
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    51m Ω @ 4.6A, 10V
    4V @ 250μA
    905pF @ 75V
    15nC @ 10V
    2.3ns
    ±20V
    3.2 ns
    16A
    2.8V
    MO-240AA
    20V
    4.6A
    150V
    20A
    50 mJ
    6mm
    5mm
    1.05mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5301TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    12 Weeks
    -
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    -
    35A Ta 100A Tc
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    110W
    -
    21 ns
    N-Channel
    -
    1.85mOhm @ 50A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5114pF @ 15V
    77nC @ 10V
    78ns
    ±20V
    23 ns
    100A
    1.8V
    -
    20V
    -
    30V
    -
    -
    5mm
    6mm
    850μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    PQFN (5x6) Single Die
    2009
    1.85MOhm
    150°C
    -55°C
    30V
    5.114nF
    1.55mOhm
    1.85 mΩ
    1.8 V
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