FDMS86252备选型号: IRFH7440TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- 配置
- 通道数量
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET N-CH 150V 16A POWER568 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8-PowerTDFN表面贴装表面贴装874mgSILICON4.6A Ta 16A TcPowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET69WDRAIN7.7 nsN-ChannelSWITCHING51m Ω @ 4.6A, 10V4V @ 250μA905pF @ 75V15nC @ 10V2.3ns±20V3.2 ns16A2.8VMO-240AA20V4.6A150V20A50 mJ6mm5mm1.05mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅-----
- MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN12 Weeks-8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8--85A TcHEXFET®, StrongIRFET™Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ--活跃1 (Unlimited)-EAR99------104W-12 nsN-Channel-2.4m Ω @ 50A, 10V3.9V @ 100μA4574pF @ 25V138nC @ 10V45ns±20V42 ns85A2.2V-20V-40V--5mm5.85mm1.05mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅20122.4MOhmSingle1150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | 对比 |
![]() | IRFH5301TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |





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