FDN306P备选型号: FDN304PZ
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- 触点镀层
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最小击穿电压
- ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface MountACTIVE (Last Updated: 5 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SuperSOT-32.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001活跃1 (Unlimited)SMD/SMT40MOhm150°C-55°C-12V-2.6A12VSingle26A500mW11 nsP-Channel40mOhm @ 2.6A, 4.5V1.5V @ 250μA1138pF @ 6V17nC @ 4.5V10ns12V±8V10 ns-2.6A-600mV8V-12V-12V1.138nF40mOhm40 mΩ-600 mV940μm2.92mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-2.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003活跃1 (Unlimited)SMD/SMT52MOhm---20V-2.4A-Single-500mW15 nsP-Channel52m Ω @ 2.4A, 4.5V1.5V @ 250μA1310pF @ 10V20nC @ 4.5V15ns-±8V15 ns-2.4A-800mV8V-20V-20V----800 mV940μm2.92mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅30mgSILICONe3yes3EAR99DUAL鸥翼增强型MOSFETSWITCHING20V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 | 对比 |
![]() | FDN339AN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 | 对比 |
![]() | FDN304PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 | 对比 |




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