FDN306P备选型号: FDN339AN
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 通道数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 最大结点温度(Tj)
- ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface MountACTIVE (Last Updated: 5 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SuperSOT-32.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001活跃1 (Unlimited)SMD/SMT40MOhm150°C-55°C-12V-2.6A12VSingle26A500mW11 nsP-Channel40mOhm @ 2.6A, 4.5V1.5V @ 250μA1138pF @ 6V17nC @ 4.5V10ns12V±8V10 ns-2.6A-600mV8V-12V-12V1.138nF40mOhm40 mΩ-600 mV940μm2.92mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®1999活跃1 (Unlimited)SMD/SMT35mOhm--20V3A-Single-500mW8 nsN-Channel35m Ω @ 3A, 4.5V1.5V @ 250μA700pF @ 10V10nC @ 4.5V10ns-±8V10 ns3A850mV8V20V20V---850 mV1.22mm2.92mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅30mgSILICONe3yes3EAR99Tin (Sn)DUAL鸥翼1增强型MOSFETSWITCHING3A150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 | 对比 |
![]() | FDN339AN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 | 对比 |
![]() | FDN304PZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 | 对比 |




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