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首页 全部分类 FDN306P vs IRLML6401GTRPBF

FDN306P备选型号: IRLML6401GTRPBF

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  • 漏源击穿电压
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  • 最大rds
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 极性/通道类型
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度（Tj）
  • 电容-输入
  • ON Semiconductor
    FDN306P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SuperSOT-3
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    40MOhm
    150°C
    -55°C
    -12V
    -2.6A
    12V
    Single
    26A
    500mW
    11 ns
    P-Channel
    40mOhm @ 2.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1138pF @ 6V
    17nC @ 4.5V
    10ns
    12V
    ±8V
    10 ns
    -2.6A
    -600mV
    8V
    -12V
    -12V
    1.138nF
    40mOhm
    40 mΩ
    -600 mV
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon
    IRLML6401GTRPBF
    Infineon
    -
    -
    -
    表面贴装
    -
    TO-236-3
    3
    -
    1.3W
    -
    -
    -
    -
    -
    1 (Unlimited)
    -
    50mOhm
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    Single
    -
    1.3W
    11 ns
    -
    -
    -
    -
    -
    32ns
    -12V
    -
    210 ns
    -4.3A
    -
    8V
    -12V
    -
    -
    50mOhm
    50 mΩ
    -
    1.1mm
    3.0226mm
    1.397mm
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    1
    -550mV
    P-CHANNEL
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    830pF
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