FDPF51N25YDTU备选型号: IRFI4229PBF

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
    3
    2.565g
    51A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    Single
    38W
    62 ns
    N-Channel
    60m Ω @ 25.5A, 10V
    5V @ 250μA
    3410pF @ 25V
    70nC @ 10V
    465ns
    ±30V
    130 ns
    51A
    30V
    250V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    镍外哑光锡
    -
    Single
    46W
    18 ns
    N-Channel
    46m Ω @ 11A, 10V
    5V @ 250μA
    4480pF @ 25V
    110nC @ 10V
    17ns
    ±30V
    13 ns
    19A
    30V
    250V
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2008
    3
    260
    40
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    SWITCHING
    TO-220AB
    0.046Ohm
    72A
    110 mJ
    9.8mm
    10.63mm
    4.83mm
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