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FDT86246L备选型号: BUK98150-55,135
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- JESD-609代码
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 已出版
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- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA250.2mg2A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95未说明not_compliant未说明SingleN-Channel228m Ω @ 2A, 10V2.5V @ 250μA335pF @ 75V6.3nC @ 10V150V±20V2AROHS3 Compliant------------------
MOSFET TAPE13 PWR-MOS---表面贴装TO-261-4, TO-261AA-5.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75260-40-N-Channel150m Ω @ 5A, 5V2V @ 1mA330pF @ 25V-55V±10V-ROHS3 CompliantYESSILICON19984LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTEDDUAL鸥翼R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING2.6A0.15Ohm30A55V15 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK98150-55,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 对比 |
 | ZXMP7A17GQTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 | 对比 |
| DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 | 对比 |
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