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FDT86246L备选型号: ZXMP7A17GQTA
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
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- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
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- 已出版
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- 端子位置
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- 通道数量
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- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA250.2mg2A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95未说明not_compliant未说明SingleN-Channel228m Ω @ 2A, 10V2.5V @ 250μA335pF @ 75V6.3nC @ 10V150V±20V2AROHS3 Compliant--------------------
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223-15 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA7.994566mg2.6A Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)-e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)-260not_compliant30SingleP-Channel160m Ω @ 2.1A, 10V1V @ 250μA635pF @ 40V18nC @ 10V70V±20V2.6AROHS3 Compliant3SILICON20154HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼ZXMP7A174R-PDSO-G41增强型MOSFETDRAIN2.5 nsSWITCHING3.4ns8 ns20V-70V9.6A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK98150-55,135 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 对比 |
| ZXMP7A17GQTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 | 对比 |
| DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 | 对比 |
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