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首页 全部分类 FDU8878 vs APT13003DI-G1

FDU8878备选型号: APT13003DI-G1

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 供应商器件包装
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    FDU8878
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    11A Ta 40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    15MOhm
    30V
    未说明
    40A
    未说明
    Single
    40W
    N-Channel
    15m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    880pF @ 15V
    26nC @ 10V
    79ns
    ±20V
    27 ns
    40A
    20V
    30V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    APT13003DI-G1
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    450V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    15 Weeks
    TO-251
    300mV
    150°C
    -65°C
    24W
    NPN
    24W
    4MHz
    NPN
    400mV
    1.5A
    5 @ 1A 2V
    400mV @ 250mA, 1A
    450V
    4MHz
    9V
    1.5A
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