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FDU8878备选型号: MJD31CITU
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 频率
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA11A Ta 40A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®2005Obsolete1 (Unlimited)15MOhm30V未说明40A未说明Single40WN-Channel15m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA880pF @ 15V26nC @ 10V79ns±20V27 ns40A20V30V符合RoHS标准无铅----------------------------- TRANS NPN 100V 3A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA100V150°C TJTube--Obsolete1 (Unlimited)-100V-3A-Single1.56W-----------符合RoHS标准无铅3343.08mgSILICON1.2Ve3yes3EAR99Tin (Sn)1.56W3MHzMJD31AMPLIFIER3MHzNPNNPN100V3A10 @ 3A 4V50μA1.2V @ 375mA, 3A3MHz100V5V6.3mm6.8mm2.5mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT13003DI-G1 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W | 对比 |
| MJD31CITU | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TRANS NPN 100V 3A IPAK | 对比 |
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