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首页 全部分类 FF150R12RT4HOSA1 vs BSM150GB60DLCHOSA1

FF150R12RT4HOSA1备选型号: BSM150GB60DLCHOSA1

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 最大集电极电流
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    FF150R12RT4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 150A 790W
    16 Weeks
    Screw
    表面贴装
    Module
    7
    1.75V
    150A
    -40°C~150°C TJ
    C
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    UPPER
    7
    R-XUFM-X5
    半桥
    Dual
    790W
    ISOLATED
    Standard
    1.2kV
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    490 ns
    沟渠现场停车
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSM150GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 600V 180A 595W
    16 Weeks
    Panel, Screw
    底座安装
    Module
    7
    1.95V
    600V
    -40°C~125°C
    -
    2000
    no
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    7
    -
    Single
    Dual
    730W
    ISOLATED
    Standard
    600V
    500μA
    -
    155 ns
    2.45V @ 15V, 150A
    260 ns
    -
    无
    符合RoHS标准
    SILICON
    730W
    UNSPECIFIED
    595W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    180A
    6.5nF @ 25V
    30.5mm
    94mm
    34mm
    无铅
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