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首页 全部分类 FF150R12RT4HOSA1 vs DF150R12RT4HOSA1

FF150R12RT4HOSA1备选型号: DF150R12RT4HOSA1

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  • 元素配置
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终端形式
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    FF150R12RT4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 150A 790W
    16 Weeks
    Screw
    表面贴装
    Module
    7
    1.75V
    150A
    -40°C~150°C TJ
    C
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    UPPER
    7
    R-XUFM-X5
    半桥
    Dual
    790W
    ISOLATED
    Standard
    1.2kV
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    490 ns
    沟渠现场停车
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    DF150R12RT4HOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1200V 150A
    16 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    5
    2.15V
    150A
    -40°C~150°C
    -
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    UPPER
    7
    R-XUFM-X4
    单斩波器
    Single
    790W
    ISOLATED
    Standard
    1.2kV
    1mA
    1200V
    185 ns
    2.15V @ 15V, 150A
    490 ns
    沟渠现场停车
    无
    符合RoHS标准
    SILICON
    UNSPECIFIED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    9.3nF @ 25V
    无铅
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