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首页 全部分类 FGA30N65SMD vs IRGP35B60PDPBF

FGA30N65SMD备选型号: IRGP35B60PDPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • JEDEC-95代码
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FGA30N65SMD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT
    5 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    3
    6.401g
    SILICON
    650V
    2.29V
    2012
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    300W
    Single
    300W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    650V
    60A
    35ns
    41 ns
    2.5V @ 15V, 30A
    125 ns
    场站
    87nC
    90A
    14ns/102ns
    716μJ (on), 208μJ (off)
    20V
    6V
    5mm
    16.2mm
    20.1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP35B60PDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 60A 308W TO247AC
    14 Weeks
    -
    TO-247-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    600V
    1.85V
    2000
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    308W
    Single
    308W
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.55V
    60A
    42 ns
    34 ns
    2.55V @ 15V, 35A
    142 ns
    NPT
    160nC
    120A
    26ns/110ns
    220μJ (on), 215μJ (off)
    20V
    5V
    5.3086mm
    15.87mm
    20.7mm
    ROHS3 Compliant
    无
    通孔
    HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
    600V
    60A
    COLLECTOR
    26 ns
    6ns
    TO-247AC
    无SVHC
    无铅
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