FGA40N65SMD备选型号: FGA30N65SMD
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT Transistors 650V, 40A Field Stop IGBTACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 WeeksTin通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401gSILICON650V2.5V-55°C~175°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99低导通损耗8541.29.00.95349W28nsSingle349WStandard12 ns电源控制N-CHANNEL650V80A42 ns2.5V @ 15V, 40A场站119nC120A12ns/92ns820μJ (on), 260μJ (off)20V6V17ns20.1mm16.2mm5mm无ROHS3 Compliant无铅---
- IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBTACTIVE (Last Updated: 3 days ago)5 Weeks-通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401gSILICON650V2.29V-55°C~175°C TJTube2012e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-8541.29.00.95300W-Single300WStandard-电源控制N-CHANNEL650V60A35ns2.5V @ 15V, 30A场站87nC90A14ns/102ns716μJ (on), 208μJ (off)20V6V-20.1mm16.2mm5mm无ROHS3 Compliant-Tin (Sn)41 ns125 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW30NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
![]() | FGA30N65SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT Transistors 650V 30A FS Planar Gen2 IGBT | 对比 |
![]() | STGW39NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |





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