ON Semiconductor FGA40N65SMD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 40A, 6 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

92 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

349W

上升时间-最大值

28ns

元素配置

Single

功率耗散

349W

输入类型

Standard

接通延迟时间

12 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

42 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 40A

IGBT类型

场站

闸门收费

119nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

12ns/92ns

开关能量

820μJ (on), 260μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

17ns

高度

20.1mm

长度

16.2mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅