FGB40N60SM备选型号: STGB20NC60V
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 接通延迟时间
- 连续集电极电流
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON600V2.3V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95349W鸥翼FGB40N60R-PSSO-G228nsSingleCOLLECTORStandard349W电源控制N-CHANNEL600V80A600V37 ns2.3V @ 15V, 40A132 ns场站119nC120A12ns/92ns870μJ (on), 260μJ (off)20V6V17ns4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅---
- IGBT 600V 60A 200W D2PAKNRND (Last Updated: 8 months ago)-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.240009g-600V1.8V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)---Obsolete1 (Unlimited)-EAR99--200W-STGB20--Single-Standard---600V60A600V-2.5V @ 15V, 20A--100nC100A31ns/100ns220μJ (on), 330μJ (off)---4.6mm8.5mm15mm无ROHS3 Compliant无铅PowerMESH™31 ns60A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FGB5N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT | 对比 |
![]() | STGB40V60F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 80A 283W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB20NC60V | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 60A 200W D2PAK | 对比 |





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