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FGB40N60SM备选型号: STGB40V60F
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON600V2.3V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95349W鸥翼FGB40N60R-PSSO-G228nsSingleCOLLECTORStandard349W电源控制N-CHANNEL600V80A600V37 ns2.3V @ 15V, 40A132 ns场站119nC120A12ns/92ns870μJ (on), 260μJ (off)20V6V17ns4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅--
IGBT 600V 80A 283W D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB32.000002g-600V1.8V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)---活跃1 (Unlimited)-EAR99--283W-STGB40--Single-Standard283W--600V80A600V-2.3V @ 15V, 40A-沟渠现场停车226nC160A52ns/208ns456μJ (on), 411μJ (off)-------ROHS3 Compliant-未说明未说明- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGB5N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT | 对比 |
| STGB40V60F | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 80A 283W D2PAK | 对比 |
 | STGB20NC60V | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 60A 200W D2PAK | 对比 |
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