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FGB40N6S2T备选型号: AUIRGS30B60K
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- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
IGBT 600V 75A 290W TO263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263AB600V1.9V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V290W75AFGB40N6Single290WStandard290W10ns2.7V75A600V600V2.7V @ 15V, 20A35nC180A8ns/35ns115μJ (on), 195μJ (off)符合RoHS标准无铅-------------------------
IGBT 600V 78A 370W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-600V2.35V-55°C~175°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)---370W--Single370WStandard--2.35V78A--2.35V @ 15V, 30A102nC120A46ns/185ns350μJ (on), 825μJ (off)ROHS3 Compliant无铅9 WeeksSILICON2010e32EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2COLLECTORMOTOR CONTROLN-CHANNEL74 ns237 nsNPT20V5.5V42ns4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRGS30B60K | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 78A 370W D2PAK | 对比 |
 | STGB30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
| IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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