FGB40N6S2T备选型号: IGB30N60H3ATMA1
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最大击穿电压
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- IGBT 600V 75A 290W TO263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263AB600V1.9V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V290W75AFGB40N6Single290WStandard290W10ns2.7V75A600V600V2.7V @ 15V, 20A35nC180A8ns/35ns115μJ (on), 195μJ (off)符合RoHS标准无铅-------------------------
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--60A--40°C~175°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-----GB30N60--Standard187W---600V-2.4V @ 15V, 30A165nC120A18ns/207ns1.17mJROHS3 Compliant-16 WeeksYESSILICONTrenchStop®2005e3no2EAR99Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTOR电源控制N-CHANNEL40 ns262 ns沟渠现场停车
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRGS30B60K | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 78A 370W D2PAK | 对比 |
![]() | STGB30V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |





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