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首页 全部分类 FGH30N120FTDTU vs STGWA30N120KD

FGH30N120FTDTU备选型号: STGWA30N120KD

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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ON Semiconductor
    FGH30N120FTDTU
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247AB Rail
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    TO-247-3
    6.390011g
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    339W
    Single
    Standard
    339W
    1.2kV
    60A
    730 ns
    1200V
    2V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    208nC
    90A
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGWA30N120KD
    STMicroelectronics
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -
    1.2kV
    -55°C~125°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    220W
    -
    Standard
    220W
    3.85V
    60A
    84 ns
    1200V
    3.85V @ 15V, 20A
    -
    105nC
    100A
    -
    ROHS3 Compliant
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    STGWA30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    57 ns
    756 ns
    36ns/251ns
    2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
    25V
    6.5V
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