ON Semiconductor FGH30N120FTDTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-247-3

质量

6.390011g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Current-Collector (Ic) (Max)

60A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

339W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

339W

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

730 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 30A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

208nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准