我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
FGH50T65UPD备选型号: IKW40N65H5FKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 达到SVHC
IGBT Transistors 650 V 100 A 240 WACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)50 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON650V2.1V-55°C~175°C TJTube2013e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95340W77nsSingleCOLLECTORStandard340W电源控制N-CHANNEL650V100A53 nsTO-247AB101 ns2.3V @ 15V, 50A185 ns沟渠现场停车230nC150A32ns/160ns2.7mJ (on), 740μJ (off)25V7.5V29ns20.82mm15.87mm4.82mm无ROHS3 Compliant无铅-----
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS-16 Weeks通孔通孔TO-247-33--650V1.65V-40°C~175°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)-255W-Single-Standard---1.65V74A62 ns--2.1V @ 15V, 40A--95nC120A22ns/165ns390μJ (on), 120μJ (off)-------ROHS3 Compliant无铅TrenchStop®未说明未说明255WUnknown- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |
 | NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N65FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| FGH40T65UPD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 80 A 268 W | 对比 |
哦! 它是空的。