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首页 全部分类 FGH60N60SMD vs NGTB50N60S1WG

FGH60N60SMD备选型号: NGTB50N60S1WG

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • ON Semiconductor
    FGH60N60SMD
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 120A 600W TO247
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    5 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600W
    FGH60N60
    70ns
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    27 ns
    600W
    电源控制
    N-CHANNEL
    600V
    120A
    39 ns
    TO-247AB
    59 ns
    2.5V @ 15V, 60A
    163 ns
    场站
    189nC
    180A
    18ns/104ns
    1.26mJ (on), 450μJ (off)
    20V
    6V
    68ns
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB50N60S1WG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -
    600V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    417W
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    -
    417W
    -
    -
    2V
    100A
    94 ns
    -
    -
    2V @ 15V, 50A
    -
    Trench
    220nC
    200A
    100ns/237ns
    1.5mJ (on), 460μJ (off)
    -
    -
    -
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
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