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FGH60N60SMD备选型号: STGW50H60DF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 上升时间-最大值
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 引脚数量
- JESD-30代码
IGBT 600V 120A 600W TO247ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)5 WeeksTin通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V1.9V-55°C~175°C TJTube2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99低导通损耗8541.29.00.95600WFGH60N6070nsSingleCOLLECTORStandard27 ns600W电源控制N-CHANNEL600V120A39 nsTO-247AB59 ns2.5V @ 15V, 60A163 ns场站189nC180A18ns/104ns1.26mJ (on), 450μJ (off)20V6V68ns20.6mm15.6mm4.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode---通孔通孔TO-247-3-6.500007gSILICON600V1.8V-55°C~150°C TJTube-e3-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99--360WSTGW50-Single-Standard62 ns360W电源控制N-CHANNEL600V100A55 ns-91 ns1.8V @ 15V, 50A285 ns沟渠现场停车217nC200A62ns/178ns890μJ (on), 860μJ (off)20V------无ROHS3 Compliant无铅Tin (Sn)3R-PSFM-T3- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW50H60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode | 对比 |
 | NGTB45N60S1WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| NGTB50N60S1WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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