FGH75T65SQD-F155备选型号: FGY75N60SMD
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 元素配置
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- Td(开/关)@25°C
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 最大下降时间 (tf)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- IGBT 650V 150A 375W TO247ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g650V1.6V-55°C~175°C TJTube2016活跃1 (Unlimited)EAR998541.29.00.95375W未说明not_compliant未说明Standard375W650V150A43 ns沟渠现场停车128nC300A760μJ (on), 180μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant---------------------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)6 Weeks通孔通孔TO-247-3 Variant37.629g600V1.9V-55°C~175°C TJTube2010活跃1 (Unlimited)EAR998541.29.00.95750W---Standard750W600V150A55 ns场站248nC225A2.3mJ (on), 770μJ (off)无SVHCROHS3 CompliantSILICONe3yes3Tin (Sn)低导通损耗Single电源控制N-CHANNEL76 ns2.5V @ 15V, 75A161 ns24ns/136ns20V6.5V29ns20.32mm15.87mm4.82mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGY75N60SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 Variant | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins | 对比 | |
![]() | STGWA80H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube | 对比 |
![]() | STGW80H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube | 对比 |



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