FGH75T65SQD-F155备选型号: STGW80H65FB
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- 包装/外壳
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 基本部件号
- 元素配置
- 极性/通道类型
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- Td(开/关)@25°C
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- IGBT 650V 150A 375W TO247ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8 Weeks通孔通孔TO-247-336.39g650V1.6V-55°C~175°C TJTube2016活跃1 (Unlimited)EAR998541.29.00.95375W未说明not_compliant未说明Standard375W650V150A43 ns沟渠现场停车128nC300A760μJ (on), 180μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant-------
- Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube-20 Weeks通孔通孔TO-247-3338.000013g650V1.6V-55°C~175°C TJTube-活跃1 (Unlimited)EAR99-469W未说明-未说明Standard469W650V120A-沟渠现场停车414nC240A2.1mJ (on), 1.5mJ (off)-ROHS3 CompliantSTGW80SingleN-CHANNEL2V @ 15V, 80A84ns/280ns20V7V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGY75N60SMD | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 Variant | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins | 对比 | |
![]() | STGWA80H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube | 对比 |
![]() | STGW80H65FB | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube | 对比 |



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