FGL40N120ANTU备选型号: FGL60N100BNTDTU
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 反向恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- IGBT 1200V 64A 500W TO264ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA36.756gSILICON1.2kV3.2V-55°C~150°C TJTube2007e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95500WSingle500mWStandard15 ns500WMOTOR CONTROL20nsN-CHANNEL1.2kV64A1200V45 ns3.2V @ 15V, 40A165 nsNPT220nC160A15ns/110ns2.3mJ (on), 1.1mJ (off)无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-264 RailACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)10 Weeks通孔通孔TO-264-3, TO-264AA36.756gSILICON1kV1.5V-55°C~150°C TJTube-e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-8541.29.00.95180WSingle180WStandard--电源控制-N-CHANNEL1kV60A1000V460 ns2.9V @ 15V, 60A760 nsNPT和沟槽275nC120A140ns/630ns--无ROHS3 Compliant无铅1kV60A1.2 μs26mm20mm5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGL35N120FTDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 70A 368W TO264 | 对比 | |
![]() | APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | 对比 |
| SGL50N60RUFDTU | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 80A 250W TO264 | 对比 |



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