FGP20N6S2D备选型号: FGP10N60UNDF

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 电压 - 额定直流
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 上升时间
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
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  • Td(开/关)@25°C
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    IGBT 600V 28A 125W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    125W
    28A
    Single
    125W
    Standard
    4.5ns
    2.7V
    28A
    31ns
    2.7V @ 15V, 7A
    30nC
    40A
    7.7ns/87ns
    25μJ (on), 58μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IGBT Transistors 600V 10A NPT IGBT
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    600V
    2.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    139W
    -
    Single
    139W
    Standard
    -
    600V
    20A
    37.7 ns
    2.45V @ 15V, 10A
    37nC
    30A
    8ns/52.2ns
    150μJ (on), 50μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    1.8g
    SILICON
    2013
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    8.1 ns
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    TO-220AB
    15.4 ns
    89.3 ns
    NPT
    20V
    8.5V
    24.8ns
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
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