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首页 全部分类 FGP20N6S2D vs STGF10NB60SD

FGP20N6S2D备选型号: STGF10NB60SD

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FGP20N6S2D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 28A 125W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    125W
    28A
    Single
    125W
    Standard
    4.5ns
    2.7V
    28A
    31ns
    2.7V @ 15V, 7A
    30nC
    40A
    7.7ns/87ns
    25μJ (on), 58μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF10NB60SD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    600V
    25W
    10A
    Single
    25W
    Standard
    460ns
    600V
    23A
    37ns
    1.75V @ 15V, 10A
    33nC
    80A
    700ns/1.2μs
    600μJ (on), 5mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STGF10
    3
    ISOLATED
    电源控制
    600V
    N-CHANNEL
    20A
    TO-220AB
    600V
    1160 ns
    3100 ns
    20V
    5V
    20mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
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