FGP20N6S2D备选型号: NGTB15N60R2FG
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- 无铅代码
- 功率 - 最大
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT 600V 28A 125W TO220AB通孔通孔TO-220-33600V2.2V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)600V125W28ASingle125WStandard4.5ns2.7V28A31ns2.7V @ 15V, 7A30nC40A7.7ns/87ns25μJ (on), 58μJ (off)符合RoHS标准无铅---------
- ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins通孔通孔TO-220-3 Full Pack3600V1.85V175°C TJTube活跃1 (Unlimited)-54W-Single-Standard-2.1V24A95 ns2.1V @ 15V, 15A80nC60A70ns/190ns550μJ (on), 220μJ (off)ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks2007yes54W15.87mm10.16mm4.7mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGP10N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors 600V 10A NPT IGBT | 对比 | |
![]() | STGF10NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | 对比 |
![]() | NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins | 对比 |




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