FS50R06W1E3BOMA1备选型号: APTGT50X60T3G
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- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 输入电容
- 栅极-发射极电压-最大值
- VCEsat-最大值
- 辐射硬化
- IGBT MODULE 600V 70A 205W16 WeeksTinScrew底座安装Module18SILICON600V1.45V-40°C~150°CEasyPACK™ 1B2002no活跃1 (Unlimited)15EAR99205WUPPERUNSPECIFIED未说明未说明22R-XUFM-X15不合格三相逆变器ISOLATED205W电源控制不含卤素N-CHANNELStandard600V70A1mA250 ns1.9V @ 15V, 50A370 ns沟渠现场停车有95pF @ 25V12mm62.8mm33.8mm无SVHCROHS3 Compliant含铅--------
- IGBT MODULE 600V 80A 176W SP336 Weeks-Chassis Mount, Screw底座安装SP332SILICON600V1.5V-40°C~175°C TJ-2007yes活跃1 (Unlimited)25EAR99176WUPPERUNSPECIFIED--25R-XUFM-X25-三相逆变器ISOLATED176WMOTOR CONTROL-N-CHANNELStandard600V80A250μA170 ns1.9V @ 15V, 50A310 ns沟渠现场停车有3.15nF @ 25V11.5mm73.4mm40.8mm-符合RoHS标准无铅IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)e1锡银铜110 ns3.15nF20V1.9 V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGF50DH60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | IGBT MODULE 600V 65A 250W SP1 | 对比 |
| FP7G50US60 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 模块 | EPM7 | IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7 | 对比 | |
![]() | APTGT50X60T3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP3 | IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 | 对比 |





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