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首页 全部分类 FS50R06W1E3BOMA1 vs FP7G50US60

FS50R06W1E3BOMA1备选型号: FP7G50US60

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  • 输入电容(Cies)@Vce
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FS50R06W1E3BOMA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 600V 70A 205W
    16 Weeks
    Tin
    Screw
    底座安装
    Module
    18
    SILICON
    600V
    1.45V
    -40°C~150°C
    EasyPACK™ 1B
    2002
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    15
    EAR99
    205W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    22
    R-XUFM-X15
    不合格
    三相逆变器
    ISOLATED
    205W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    70A
    1mA
    250 ns
    1.9V @ 15V, 50A
    370 ns
    沟渠现场停车
    有
    95pF @ 25V
    12mm
    62.8mm
    33.8mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FP7G50US60
    ON Semiconductor
    IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7
    -
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    EPM7
    7
    -
    600V
    -
    -40°C~125°C TJ
    Power-SPM™
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    250W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    半桥
    -
    250W
    -
    -
    -
    Standard
    600V
    50A
    250μA
    -
    2.8V @ 15V, 50A
    -
    -
    无
    2.92nF @ 30V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    EPM7
    125°C
    -40°C
    Dual
    600V
    2.92nF
    无
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