您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FS75R07W2E3B11ABOMA1 vs APTGT50SK170T1G

FS75R07W2E3B11ABOMA1备选型号: APTGT50SK170T1G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 输入
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    FS75R07W2E3B11ABOMA1
    Infineon Technologies
    EASYPACK 2B MODULES WITH TRENCH/FIELDSTOP IGBT3, EMITTER CONTROLLED 3 DIODE AND PRESSFIT / NTC
    39 Weeks
    Screw
    Module
    18
    1.7V
    6
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    18
    EAR99
    150°C
    -40°C
    275W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    COMPLEX
    ISOLATED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    650V
    95A
    650V
    44 ns
    258 ns
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT50SK170T1G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    SP1
    12
    2V
    1.7kV
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    -
    -
    312W
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    -
    -
    Single
    ISOLATED
    MOTOR CONTROL
    -
    N-CHANNEL
    1.7kV
    75A
    -
    450 ns
    1100 ns
    符合RoHS标准
    -
    底座安装
    SILICON
    -40°C~150°C TJ
    e1
    yes
    锡银铜
    12
    312W
    Standard
    250μA
    1700V
    4.4nF
    2.4V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    有
    20V
    4.4nF @ 25V
    2.4 V
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FS50R06W1E3BOMA1 FS50R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MODULE 600V 70A 205W 对比
APTGT50SK170T1G APTGT50SK170T1G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP1 Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-1 对比
FS50R12KE3BOSA1 FS50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 模块 Module IGBT MOD 1200V 75A 270W 对比