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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥567.430929
10
¥535.312197
100
¥505.011507
500
¥476.42595
1000
¥449.458443
Infineon Technologies FS75R07W2E3B11ABOMA1
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FS75R07W2E3B11ABOMA1
1211-FS75R07W2E3B11ABOMA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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EASYPACK 2B MODULES WITH TRENCH/FIELDSTOP IGBT3, EMITTER CONTROLLED 3 DIODE AND PRESSFIT / NTC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FS75R07W2E3B11ABOMA1详情
Infineon Technologies FS75R07W2E3B11ABOMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
39 Weeks
底架
Screw
包装/外壳
Module
引脚数
18
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V
Number of Elements
6
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
18
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
275W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
COMPLEX
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
650V
最大集电极电流
95A
最大重复反向电压(Vrrm)
650V
接通时间
44 ns
关断时间-标准值(toff)
258 ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
FS75R07W2E3B11ABOMA1拓展信息
Infineon Technologies
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