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FS75R07W2E3B11ABOMA1备选型号: FS50R12KE3BOSA1

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  • 功率耗散
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  • 最大集极截止电流
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  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    FS75R07W2E3B11ABOMA1
    Infineon Technologies
    EASYPACK 2B MODULES WITH TRENCH/FIELDSTOP IGBT3, EMITTER CONTROLLED 3 DIODE AND PRESSFIT / NTC
    39 Weeks
    Screw
    Module
    18
    1.7V
    6
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    18
    EAR99
    150°C
    -40°C
    275W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    COMPLEX
    ISOLATED
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    650V
    95A
    650V
    44 ns
    258 ns
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FS50R12KE3BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1200V 75A 270W
    16 Weeks
    Screw
    Module
    28
    1.7V
    1.2kV
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    28
    EAR99
    -
    -
    270W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    三相逆变器
    ISOLATED
    -
    不含卤素
    N-CHANNEL
    1.2kV
    75A
    -
    140 ns
    610 ns
    ROHS3 Compliant
    含铅
    底座安装
    SILICON
    150°C TJ
    no
    28
    不合格
    270W
    Standard
    5mA
    1200V
    2.15V @ 15V, 50A
    NPT
    有
    3.5nF @ 25V
    17mm
    107.5mm
    45mm
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