FW276-TL-2H备选型号: STS1DN45K3
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- 底架
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- 引脚数
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- 包装
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 电阻
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 辐射硬化
- ON SEMICONDUCTOR FW276-TL-2HDual MOSFET, Dual N Channel, 700 mA, 450 V, 9.3 ohm, 10 V, 4.5 V表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)1.6W未说明未说明2W7 ns2 N-Channel (Dual)12.1 Ω @ 350mA, 10V4.5V @ 1mA55pF @ 20V3.7nC @ 10V450V700mA4.5V30V逻辑电平门1.375mm4.9mm3.9mm无SVHC符合RoHS标准无铅---------------
- MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82150°C TJTape & Reel (TR)-e4yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)1.3W260-1.7W-2 N-Channel (Dual)3.8 Ω @ 500mA, 10V4.5V @ 50μA150pF @ 25V6nC @ 10V450V500mA3.75V30VStandard---无SVHCROHS3 Compliant无铅SILICONSuperMESH3™83.8Ohm鸥翼STS1D8Dual增强型MOSFETSWITCHING0.5A450V2AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STS1DN45K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7465TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC | 对比 |
![]() | STS1DNC45 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A | 对比 |




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