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GA20SICP12-247备选型号: SCT20N120

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    GA20SICP12-247
    GeneSiC Semiconductor
    TRANS SJT 1200V 45A TO247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50m Ω @ 20A
    3091pF @ 800V
    1200V
    45A
    符合RoHS标准
    -
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    -
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    -
  • STMicroelectronics
    SCT20N120
    STMicroelectronics
    MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    20A Tc
    -55°C~200°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    290m Ω @ 10A, 20V
    650pF @ 400V
    1200V
    20A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    38.000013g
    EAR99
    未说明
    未说明
    SCT20
    1
    Single
    10 ns
    N-Channel
    3.5V @ 1mA
    45nC @ 20V
    16ns
    +25V, -10V
    17 ns
    25V
    1.2kV
    无铅
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