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GA20SICP12-247备选型号: SCT2280KEC

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  • RoHS状态
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  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    GA20SICP12-247
    GeneSiC Semiconductor
    TRANS SJT 1200V 45A TO247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50m Ω @ 20A
    3091pF @ 800V
    1200V
    45A
    符合RoHS标准
    -
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  • ROHM Semiconductor
    SCT2280KEC
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    14A Tc
    175°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    364m Ω @ 4A, 18V
    667pF @ 800V
    1200V
    14A
    ROHS3 Compliant
    3
    2012
    3
    280mOhm
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    19 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4V @ 1.4mA
    36nC @ 18V
    19ns
    +22V, -6V
    29 ns
    4V
    22V
    1.2kV
    4 V
    5.03mm
    15.9mm
    20.95mm
    Unknown
    无铅
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