GKI07113备选型号: DMN62D0LFB-7
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- 底架
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN表面贴装表面贴装8-PowerTDFN89A Ta150°C TJCut Tape (CT)2015Discontinued1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel9.1m Ω @ 27.2A, 10V2.5V @ 1mA4040pF @ 25V57nC @ 10V75V±20V9A符合RoHS标准无铅-------------------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R表面贴装表面贴装3-UFDFN3100mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)--N-Channel2 Ω @ 100mA, 4V1V @ 250μA32pF @ 25V0.45nC @ 4.5V60V±20V100mAROHS3 Compliant无铅16 WeeksGoldSILICONe4yes3EAR99HIGH RELIABILITYBOTTOM31Single增强型MOSFET470mWDRAIN3.4 nsSWITCHING3.4ns16.3 ns20V2Ohm60V6 pF无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMD8280 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 12-PowerWDFN | PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3 | 对比 | |
| NVMFD5875NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | 对比 | |
| NVMFD5483NLWFT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 6.4A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |




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