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首页 全部分类 GKI07113 vs FDMD8280

GKI07113备选型号: FDMD8280

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  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Sanken
    GKI07113
    Sanken
    MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    9A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    9.1m Ω @ 27.2A, 10V
    2.5V @ 1mA
    4040pF @ 25V
    57nC @ 10V
    75V
    ±20V
    9A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMD8280
    ON Semiconductor
    PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3
    表面贴装
    表面贴装
    12-PowerWDFN
    12
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    260
    未说明
    2 N-Channel (Dual)
    8.2m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    3050pF @ 40V
    44nC @ 10V
    80V
    -
    11A
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    82.3188mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    12
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    无铅
    not_compliant
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    排水源头
    15 ns
    SWITCHING
    12ns
    8.9 ns
    20V
    80V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
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