GKI07113备选型号: NVMFD5875NLT1G
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 功率 - 最大
- 场效应管特性
- MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN表面贴装表面贴装8-PowerTDFN89A Ta150°C TJCut Tape (CT)2015Discontinued1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel9.1m Ω @ 27.2A, 10V2.5V @ 1mA4040pF @ 25V57nC @ 10V75V±20V9A符合RoHS标准无铅---------
- MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8--55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015不用于新设计1 (Unlimited)--2 N-Channel (Dual)33m Ω @ 7.5A, 10V3V @ 250μA540pF @ 25V20nC @ 10V60V-7AROHS3 Compliant无铅ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)13 Weekse3yesTin (Sn)3.2Wnot_compliant3.2W逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMD8280 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 12-PowerWDFN | PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3 | 对比 | |
| NVMFD5875NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL | 对比 | |
| NVMFD5483NLWFT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 6.4A Automotive 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |



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