HGT1S3N60A4DS9A备选型号: SGW13N60UFDTM
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 无铅
- IGBT 600V 17A 70W D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263AB600V2V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)150°C-55°C70WSingle70WStandard70W600V17A19 ns600V2.7V @ 15V, 3A21nC40A6ns/73ns37μJ (on), 25μJ (off)符合RoHS标准----
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Rail表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-600V2.6V-Tape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C60WSingle60WStandard-600V13A55 ns-2.6V @ 15V, 6.5A25nC52A20ns/70ns85μJ (on), 95μJ (off)符合RoHS标准600V6.5ASG*13N60无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGS6B60KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 13A 90W D2PAK | 对比 |
![]() | IRG4BC20SD-SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 19A 60W D2PAK | 对比 |
![]() | SGW13N60UFDTM | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Rail | 对比 |




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