HGT1S3N60A4DS9A备选型号: SGW13N60UFDTM

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • RoHS状态
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    IGBT 600V 17A 70W D2PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    TO-263AB
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    70W
    Single
    70W
    Standard
    70W
    600V
    17A
    19 ns
    600V
    2.7V @ 15V, 3A
    21nC
    40A
    6ns/73ns
    37μJ (on), 25μJ (off)
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Rail
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    600V
    2.6V
    -
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    60W
    Single
    60W
    Standard
    -
    600V
    13A
    55 ns
    -
    2.6V @ 15V, 6.5A
    25nC
    52A
    20ns/70ns
    85μJ (on), 95μJ (off)
    符合RoHS标准
    600V
    6.5A
    SG*13N60
    无铅
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